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Intel acelera las innovaciones de procesos y empaquetado

La cadencia anual de innovaciones impulsa el liderazgo desde el silicio hasta el sistema

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NOVEDADES DESTACADAS:

  • Intel ha presentado su hoja de ruta de innovaciones en procesos y empaquetado para impulsar la próxima ola de productos desde el 2025 en adelante
  • La compañía ha presentado dos tecnologías de proceso revolucionarias: RibbonFET, la primera nueva arquitectura de transistores de Intel en más de una década, y PowerVia, la primera en la industria para el suministro de energía en la parte trasera
  • Intel refuerza su liderazgo continuo en innovaciones avanzadas de empaquetado en 3D con Foveros Omni y Foveros Direct
  • Intel ha compartido la nueva nomenclatura de los nodos para crear un marco consistente y una visión más precisa de los nodos de proceso tanto para los clientes como para la industria, a medida que Intel se adentra en la era angstrom de los semiconductores
  • La compañía ha anunciado un gran momento para Intel Foundry Services (IFS, por sus siglas en inglés) con el desvele de sus primeros clientes

SANTA CLARA, California, 26 de julio de 2021 – Intel Corporation ha revelado hoy una de las hojas de ruta de tecnología de procesos y empaquetado más detalladas que la compañía haya proporcionado nunca, en donde ha mostrado una serie de innovaciones fundamentales que impulsarán sus productos desde el 2025 en adelante. Además de anunciar RibbonFET, su primera nueva arquitectura de transistores en más de una década, y PowerVia, un nuevo método, pionero en la industria, de suministro de energía en la parte trasera; la empresa destacó que tiene previsto adoptar con rapidez la litografía ultravioleta extrema (EUV, por sus siglas en inglés) para su próxima generación de fabricación, denominada EUV de Alta Apertura Numérica (High NA), así como importantes innovaciones para empaquetado de procesadores. Intel está preparada para recibir la primera herramienta de producción de EUV de Alta Apertura Numérica del sector.

“Basándonos en el indiscutible liderazgo de Intel en términos de empaquetado avanzado, estamos acelerando nuestra hoja de ruta de innovación para asegurar que estamos correctamente encaminados hacia el liderazgo en el rendimiento de procesos de cara a 2025”, señaló el CEO de Intel Pat Gelsinger durante la conferencia global “Intel Accelerated“. “Estamos aprovechando nuestra inigualable línea de innovación para ofrecer avances tecnológicos, desde el transistor, hasta el nivel del sistema. Hasta que se agote la tabla periódica, seremos implacables en nuestra búsqueda para cumplir con la Ley de Moore y en nuestro camino para innovar con la magia del silicio”.

Más información: Innovaciones en materia de procesos y empaquetado (Kit de prensa) | Reproducción del vídeo “Intel Accelerated” (Retransmisión del evento) | Aceleración de la innovación en materia de procesos (Fact Sheet) | Aceleración de la innovación en materia de procesos (Quotes) | Intel presenta las nuevas tecnologías RibbonFET y PowerVia (Video) | Explicación de la tecnología Intel EMIB (Video) | Explicación de la tecnología Intel Foveros (Video)

La industria reconoce, desde hace tiempo, que la nomenclatura tradicional de los nodos de proceso basados en nanómetros dejó de coincidir con la métrica de la longitud real de 1997. Hoy, Intel ha introducido una nueva estructura de nomenclatura para sus nodos de proceso, creando un marco claro y coherente para ofrecer a los clientes una visión más precisa en toda la industria. Esta claridad se vuelve más importante que nunca gracias al lanzamiento de Intel Foundry Services (IFS, por sus siglas en inglés). “Las innovaciones presentadas hoy no sólo habilitarán la hoja de ruta de productos de Intel, sino que también serán fundamentales para nuestros clientes de fundición”, explicó Gelsinger. “El interés por IFS ha sido muy positivo y estoy encantado de que hoy hayamos anunciado nuestros dos primeros clientes importantes. ¡IFS está listo para comenzar con fuerza!”.

Los especialistas en tecnología de Intel han descrito la siguiente hoja de ruta con las nuevas nomenclaturas de nodos y las innovaciones que cada uno de ellos aporta:

  • Intel 7 ofrece un aumento del rendimiento por vatio de entre el 10% y el 15%, aproximadamente, en comparación con Intel 10nm SuperFin, basado en las optimizaciones de los transistores FinFET. Intel 7 se podrá encontrar en productos como Alder Lake para clientes en 2021 y Sapphire Rapids para el centro de datos, que se espera que esté en producción en el primer trimestre de 2022.  
  • Intel 4 adopta por completo la litografía EUV para reproducir características increíblemente pequeñas con luz de longitud de onda ultracorta. Con un aumento de aproximadamente un 20% en el rendimiento por vatio, así como a mejoras de área, Intel 4 estará listo para su producción en la segunda mitad de 2022 en productos que se comercialicen en 2023, incluyendo Meteor Lake para clientes y Granite Rapids para el centro de datos.
  • Intel 3 aprovecha aún más las nuevas optimizaciones de FinFET y un mayor EUV para ofrecer un aumento del rendimiento por vatio de aproximadamente un 18% con respecto a Intel 4, junto con mejoras de área adicionales. Intel 3 estará listo para empezar a fabricarse en productos en la segunda mitad de 2023.
  • Intel 20A marca el comienzo de la era angstrom con dos tecnologías revolucionarias: RibbonFET y PowerVia. RibbonFET, la implementación de Intel de un transistor gate-all-around (GAA, por sus siglas en inglés), será la primera nueva arquitectura de transistores de la empresa desde que fue pionera con los FinFET en 2011. Esta tecnología ofrece velocidades de conmutación de transistores más rápidas y consigue la misma corriente de impulso que múltiples aletas en un espacio más reducido. PowerVia es la primera implementación de Intel en el sector de suministro de energía en la parte trasera, que optimiza la señal de transmisión eliminando la necesidad de enrutar la energía en la parte frontal de la oblea. Se espera que Intel 20A entre en funcionamiento en 2024. La compañía también está entusiasmada con la oportunidad de asociarse con Qualcomm a través de la utilización de la tecnología de proceso Intel 20A.
  • Del 2025 en adelante: Más allá de Intel 20A, Intel 18A ya está en desarrollo y se prevé que esté lista para principios de 2025 con mejoras en RibbonFET que ofrecerán otro gran salto en el rendimiento de los transistores. Intel también está trabajando para definir, construir e implementar EUV de Alta NA de próxima generación, y espera así lograr la primera herramienta de producción del sector. Intel está colaborando estrechamente con ASML para garantizar el éxito de esta innovación en la industria, más allá de la generación actual de EUV. 

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“Intel tiene un largo historial de innovaciones de procesos fundacionales que han impulsado el sector a pasos agigantados”, aseguró la Dra. Ann Kelleher, senior vice president and general manager of Technology Development. “Lideramos la transición a silicio deformando a 90 nm, a compuertas metálicas High-k a 45 nm y a FinFET a 22 nm. Intel 20A supondrá otro momento crucial en la tecnología de procesos con dos innovaciones revolucionarias: RibbonFET y PowerVia”.

Con la nueva estrategia IDM 2.0 de Intel, el empaquetado es cada vez más importante para obtener los beneficios de la Ley de Moore. Intel ha anunciado que AWS será el primer cliente en utilizar las soluciones de empaquetado de IFS, al tiempo que ha proporcionado los siguientes datos sobre la hoja de ruta de empaquetado avanzado de la compañía, líder en el sector:

  • EMIB sigue liderando el sector como la primera solución de puente integrado 2.5D, con productos que se comercializan desde 2017. Sapphire Rapids será el primer producto para centro de datos de Xeon que se comercializará a gran volumen con EMIB (puente integrado de interconexión de múltiples matrices). También será el primer dispositivo del sector del tamaño de una retícula doble, que ofrecerá casi el mismo rendimiento que un diseño monolítico. Además de Sapphire Rapids, la próxima generación de EMIB pasará de un bump pitch de 55 micras a 45 micras.
  • Foveros aprovecha las capacidades de empaquetado a nivel de oblea para ofrecer una solución de apilamiento 3D única en su género. Meteor Lake será la implementación de segunda generación de Foveros en un producto para cliente y cuenta con un bump pitch de 36 micras, tiles que abarcan varios nodos tecnológicos y un rango de potencia de diseño térmico de 5 a 125 W.
  • Foveros Omni marca el inicio de la próxima generación de la tecnología Foveros al proporcionar una flexibilidad sin límites con la tecnología de apilamiento 3D de rendimiento para la interconexión die-to-die y los diseños modulares. Foveros Omni permite la desagregación del die, mezclando múltiples dies superiores con múltiples dies base a través de nodos de fabricación mixtos. Se espera que esté listo para la fabricación en volumen en 2023.
  • Foveros Direct pasa a la unión directa de cobre con cobre para interconexiones de baja resistencia y difumina la frontera entre el final de la oblea y el comienzo del paquete. Foveros Direct habilita bump pitches por debajo de las 10 micras, proporcionando un aumento del orden de magnitud en la densidad de interconexión para el apilamiento en 3D, y abriendo nuevos conceptos para la partición funcional del die que antes eran inalcanzables. Foveros Direct es complementario a Foveros Omni y también se espera que esté listo en 2023.

Los avances anunciados hoy se han desarrollado principalmente en las instalaciones de Intel en Oregón y Arizona, lo que consolida el papel de la compañía como único actor de vanguardia que realiza tanto la investigación y el desarrollo, como la fabricación, en EE.UU. Además, las innovaciones se basan en una estrecha colaboración con un ecosistema de socios tanto en EE.UU. como en Europa. Este tipo de asociaciones son clave para llevar las innovaciones fundacionales del laboratorio a la fabricación a gran escala, e Intel se compromete a aliarse con los gobiernos para fortalecer las cadenas de suministro e impulsar la seguridad económica y nacional.

Además, la compañía ha concluido su conferencia confirmando más detalles sobre su evento Intel InnovatiON. Intel InnovatiON se celebrará en San Francisco y de manera virtual los días 27 y 28 de octubre de 2021. Más información disponible en el sitio web de Intel ON.  

Para más información sobre la hoja de ruta de los procesos de Intel y la nomenclatura de los nodos, puede consultar esta hoja informativa. Para ver la grabación de la conferencia de hoy, visita la sala de prensa de Intel o el sitio web de Intel para relaciones con inversores.   

 

Declaraciones prospectivas
Este comunicado de prensa contiene declaraciones prospectivas relacionadas con los planes y expectativas futuras de Intel, incluso con respecto a las hojas de ruta y los calendarios de la tecnología de procesos y empaquetado de Intel; la cadencia de innovación; la tecnología y los productos futuros y los beneficios esperados y la disponibilidad de dicha tecnología y productos, incluidas las tecnologías PowerVia, RibbonFET, Foveros Omni y Foveros Direct, los futuros nodos de proceso y otras tecnologías y productos; la paridad y el liderazgo tecnológicos; el uso, los beneficios y la disponibilidad futuros de la tecnología EUV y otras herramientas de fabricación; las expectativas en relación con los proveedores, los socios y los clientes; la estrategia de Intel; los planes de fabricación; los planes de expansión e inversión en fabricación; y los planes y objetivos relacionados con el negocio de fundición de Intel. Tales declaraciones implican una serie de riesgos e incertidumbres. Palabras como “anticipa”, “espera”, “pretende”, “objetivos”, “planea”, “cree”, “busca”, “estima”, “continúa”, “puede”, “hará”, “debería”, “podría”, “estrategia”, “progreso”, “acelera”, “camino”, “en marcha”, etc, “camino”, “en marcha”, “hoja de ruta”, “proyecto”, “cadencia”, “impulso”, “posición”, “compromiso” y “resultados”, así como las variaciones de estas palabras y expresiones similares, tienen por objeto identificar las declaraciones prospectivas. Las declaraciones que se refieren o se basan en estimaciones, pronósticos, proyecciones y eventos inciertos o suposiciones también identifican las declaraciones prospectivas. Dichas declaraciones se basan en las expectativas actuales de la dirección e implican muchos riesgos e incertidumbres que podrían hacer que los resultados reales difieran materialmente de los expresados o implícitos en estas declaraciones prospectivas. Los factores importantes que podrían causar que los resultados reales difieran materialmente de las expectativas de la empresa incluyen, entre otros, que Intel no logre obtener los beneficios previstos de su estrategia y sus planes; cambios en los planes debido a factores empresariales, económicos o de otro tipo; acciones tomadas por los competidores, incluyendo cambios en las hojas de ruta de la tecnología de los competidores; cambios que afecten a nuestras proyecciones con respecto a nuestra tecnología o a la tecnología de la competencia; retrasos en el desarrollo o la implementación de nuestras futuras tecnologías de fabricación o la imposibilidad de obtener los beneficios previstos de dichas tecnologías, incluyendo las mejoras esperadas en el rendimiento y otros factores; los retrasos o cambios en el diseño o la introducción de futuros productos; los cambios en las necesidades o planes de los clientes; los cambios en las tendencias tecnológicas; nuestra capacidad para responder rápidamente a los avances tecnológicos; los retrasos, cambios en los planes u otras interrupciones que afecten a la herramienta de fabricación y a otros proveedores; y otros factores expuestos en los informes de Intel presentados o facilitados a la Securities and Exchange Commission (SEC), incluidos los informes más recientes de Intel en el formulario 10-K y el formulario 10-Q, disponibles en el sitio web de relaciones con los inversores de Intel en www. intc.com y el sitio web de la SEC en www.sec.gov. Intel no se compromete, y rechaza expresamente cualquier obligación, a actualizar cualquier declaración hecha en este comunicado de prensa, ya sea como resultado de nueva información, nuevos desarrollos u otros, excepto en la medida en que la divulgación pueda ser requerida por la ley.
Todos los planes de productos y servicios, hojas de ruta y cifras de rendimiento están sujetos a cambios sin previo aviso. La paridad de rendimiento de los procesos y las expectativas de liderazgo se basan en proyecciones de rendimiento por vatio. El desempeño futuro de los nodos y otras métricas, incluidas la potencia y la densidad, son proyecciones y son inherentemente inciertas.

Acerca de Intel

Intel (Nasdaq: INTC) es un líder de la industria que crea tecnologías que cambian el mundo al permitir el progreso global y enriquecer la vida de las personas. Inspirados por la Ley de Moore, trabajamos continuamente para avanzar en el diseño y la fabricación de semiconductores para ayudar a abordar los mayores desafíos de nuestros clientes. Al incorporar inteligencia en la nube, la red, el edge computing y todo tipo de dispositivos informáticos, liberamos el potencial de los datos para transformar las empresas y la sociedad para mejor. Para obtener más información sobre las innovaciones de Intel, visite newsroom.intel.es e intel.es.

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