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Los avances de Intel impulsan la Ley de Moore más allá de 2025

Intel quiere multiplicar por más de 10 la densidad de empaquetado, mejorar en más de un 30% el escalado lógico e ir más allá de los transistores de silicio clásicos

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Novedades: Intel, en su incesante búsqueda de la Ley de Moore, está desvelando avances clave en materia de empaquetado, transistores y física cuántica, que son fundamentales para avanzar y acelerar la informática en la próxima década. En el marco del IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2021, Intel definió su camino hacia una mejora de la densidad de interconexión de más de 10 veces en el empaquetado con unión híbrida, una mejora que pasa del 30% al 50% del área en el escalado de los transistores, así como importantes avances en nuevas tecnologías de energía y memoria, y nuevos conceptos de física que algún día podrían revolucionar la informática.

 

“En Intel, la investigación y la innovación necesarias para avanzar en la Ley de Moore nunca paran. Nuestro Grupo de Investigación de Componentes está compartiendo en el IEDM 2021 los principales avances en investigación para aportar tecnologías revolucionarias de proceso y empaquetado que satisfagan la insaciable demanda de computación potente de la que dependen nuestra industria y nuestra sociedad. Éste es el resultado del incansable trabajo de nuestros mejores científicos e ingenieros, que siguen estando a la vanguardia de las innovaciones para continuar la Ley de Moore”. Robert Chau, Intel Senior Fellow and General Manager of Components Research

 

Por qué es importante: La Ley de Moore ha seguido la pista a las innovaciones informáticas que satisfacen las demandas de cada generación tecnológica, desde los mainframes hasta los teléfonos móviles. Esta evolución continúa hoy en día a medida que nos adentramos en una nueva era de la informática con datos ilimitados e inteligencia artificial. 

 

La innovación continua es la piedra angular de la Ley de Moore. El Grupo de Investigación de Componentes de Intel está comprometido con la innovación en tres áreas clave: tecnologías de escalado esenciales para desarrollar más transistores; nuevas capacidades de silicio para mejorar la potencia y la memoria; y la exploración de nuevos conceptos en física para revolucionar la forma en la computación se crea. Muchas de las innovaciones que rompieron las barreras anteriores de la Ley de Moore y que se encuentran en los productos actuales empezaron con el trabajo de investigación realizado por el equipo de Investigación de Componentes,  incluyendo el silicio tenso, las puertas metálicas Hi K, los transistores FinFET, RibbonFET, y las innovaciones de embalaje incluyendo EMIB y Foveros Direct. 

 

Cómo lo estamos haciendo: Los avances revelados esta semana en el IEDM 2021 demuestran que Intel está en el camino correcto para continuar con el avance y los beneficios de la Ley de Moore mucho más allá de 2025 a través de sus áreas de pathfinding: 

 

1.Intel está llevando a cabo una importante investigación en tecnologías de escalado esenciales para desarrollar más transistores en futuras ofertas de productos:

 

  • Los investigadores de la empresa han esbozado soluciones para los retos de diseño, proceso y montaje de la interconexión de unión híbrida, previendo una mejora de más de 10 veces en la densidad de interconexión en el empaquetado. En el evento Intel Accelerated celebrado en julio, Intel anunció sus planes de introducir Foveros Direct, que permite realizar bump pitches de menos de 10 micras, lo que supone un aumento de un orden de magnitud en la densidad de interconexión para el apilamiento 3D. Para que el ecosistema se beneficie de las ventajas del empaquetado avanzado, Intel también pide que se establezcan nuevos estándares industriales y procedimientos de prueba que permitan un ecosistema de chiplets de unión híbrida.
  • Yendo más allá de su RibbonFET de compuerta, Intel está dominando la próxima era post-FinFET con un enfoque de apilamiento de transistores múltiples (CMOS) que tiene como objetivo lograr una mejora maximizada del 30% al 50% en el escalado lógico para el avance continuo de la Ley de Moore mediante la colocación de más transistores por milímetro cuadrado. 
  • Intel también está allanando el camino para el avance de la Ley de Moore en la era del angstrom con una investigación orientada al futuro que muestra cómo se pueden utilizar nuevos materiales de tan sólo unos átomos de grosor para fabricar transistores que superen las limitaciones de los canales de silicio convencionales, lo que permitiría aumentar en millones el número de transistores por área per die para una informática cada vez más potente en la próxima década.

 

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2. Intel está aportando nuevas capacidades al silicio:

  • Tecnologías de alimentación y memoria más eficientes gracias a la primera integración mundial de interruptores de alimentación basados en GaN con CMOS basados en silicio en una oblea de 300 mm. Esto está sentando las bases para un suministro de energía de baja pérdida y alta velocidad a las CPU, al tiempo que se reducen los componentes y el espacio de la placa base. 
  • Otro avance es la capacidad de lectura/escritura de baja latencia de Intel, líder en el sector, que utiliza nuevos materiales ferroeléctricos para una posible tecnología DRAM integrada de próxima generación que puede ofrecer mayores recursos de memoria para hacer frente a la creciente complejidad de las aplicaciones informáticas, desde el gaming hasta la IA.

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3. Intel persigue un rendimiento masivo con la informática cuántica basada en transistores de silicio, así como interruptores totalmente nuevos para una informática de consumo masivo con novedosos dispositivos de temperatura ambiente. En el futuro, estas revelaciones podrían sustituir a los clásicos transistores MOSFET mediante el uso de conceptos físicos totalmente nuevos:

  • En el IEDM 2021, Intel demostró la primera realización experimental del mundo de un dispositivo lógico magnetoeléctrico de espín-órbita, MESO por sus siglas en inglés,  a temperatura ambiente, que mostró la posibilidad de fabricar un nuevo tipo de transistor basado en imanes de conmutación a nanoescala. 
  • Intel e IMEC están avanzando en la investigación de materiales espintrónicos para acercar la investigación de integración de dispositivos a la realización de un dispositivo de espín-órbita totalmente funcional.
  • Intel también presentó los flujos de proceso de qubits de 300 mm para la realización de una computación cuántica escalable que sea compatible con la fabricación de CMOS e identifica los próximos pasos para la investigación futura.

Acerca de Investigación de Componentes: Investigación de Componentes es el grupo de investigación del Departamento de Tecnología de Intel, cuya responsabilidad es ofrecer revolucionarias opciones tecnológicas de proceso y empaquetado que amplíen la Ley de Moore y hagan posible los productos y servicios de Intel. Mantiene llena la línea de investigación y desarrollo de Intel trabajando con las unidades de negocio de Intel para anticiparse a las necesidades futuras y colabora con grupos externos, desde los laboratorios de investigación del gobierno de EE.UU. y los consorcios de la industria, hasta los grupos de investigación universitarios y los proveedores. 

Más Información: 3D Stacked Transistors: Improving Area by Building Upward (Video) | Foveros Direct: Advanced Packaging Technology to Continue Moore’s Law (Video) | Intel’s Components Research Group Invents Revolutionary Process and Package Tech (Video)

 

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Acerca de Intel

Intel (Nasdaq: INTC) es un líder de la industria que crea tecnologías que cambian el mundo al permitir el progreso global y enriquecer la vida de las personas. Inspirados por la Ley de Moore, trabajamos continuamente para avanzar en el diseño y la fabricación de semiconductores para ayudar a abordar los mayores desafíos de nuestros clientes. Al incorporar inteligencia en la nube, la red, el edge computing y todo tipo de dispositivos informáticos, liberamos el potencial de los datos para transformar las empresas y la sociedad para mejor. Para obtener más información sobre las innovaciones de Intel, visite newsroom.intel.es e intel.es.

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